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IXFQ21N50Q

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 21A TO3P

IXFQ21N50Q Technisches Datenblatt

compliant

IXFQ21N50Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $6.90867 $207.2601
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3P
Paket / Koffer TO-3P-3, SC-65-3
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Zugehörige Teilenummer

STU11NM60ND
SI4406DY-T1-E3
ZVP0545GTC
STP30NM30N
STP30NM30N
$0 $/Stück
IRLU8203PBF
FDS5170N7
FDS5170N7
$0 $/Stück
IRLR120TRR
IRLR120TRR
$0 $/Stück
FCPF11N60T

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