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IXFR102N30P

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247

IXFR102N30P Technisches Datenblatt

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IXFR102N30P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.69300 $320.79
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 224 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NTMFSC010N08M7
NTMFSC010N08M7
$0 $/Stück
STD10NF30
STD10NF30
$0 $/Stück
SIR188DP-T1-RE3
DMP2165UW-13
HUF75321D3ST
HUF75321D3ST
$0 $/Stück
SI1077X-T1-GE3
STD10N60DM2
IXFP8N85XM
IXFP8N85XM
$0 $/Stück

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