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STD10NF30

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MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK

STD10NF30 Technisches Datenblatt

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STD10NF30 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.60550 -
5,000 $0.57855 -
12,500 $0.55930 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 330mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 780 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 103W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SIR188DP-T1-RE3
DMP2165UW-13
HUF75321D3ST
HUF75321D3ST
$0 $/Stück
SI1077X-T1-GE3
STD10N60DM2
IXFP8N85XM
IXFP8N85XM
$0 $/Stück
PSMN2R5-60PLQ
SI7113ADN-T1-GE3

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