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SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

compliant

SI7113ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.26082 -
6,000 $0.24493 -
15,000 $0.22903 -
30,000 $0.21791 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 132mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 515 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 27.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

FDMA7628
RTQ020N05HZGTR
DMP610DLQ-13
SIR494DP-T1-GE3
STH140N6F7-2
FDU6512A
IXTH88N30P
IXTH88N30P
$0 $/Stück
SIE874DF-T1-GE3

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