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IXFR40N90P

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IXYS

MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247

IXFR40N90P Technisches Datenblatt

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IXFR40N90P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $18.27800 $548.34
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 230mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

ZVN3306ASTZ
IXTH48N65X2
IXTH48N65X2
$0 $/Stück
RS3E135BNGZETB
RTF025N03FRATL
NTMS4840NR2G
NTMS4840NR2G
$0 $/Stück
NVMFS5C673NLWFAFT3G
NVMFS5C673NLWFAFT3G
$0 $/Stück
IRF3808PBF

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