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IXFR80N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247

IXFR80N50P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFR80N50P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $18.02000 $18.02
30 $15.15167 $454.5501
120 $13.92300 $1670.76
510 $11.87551 $6056.5101
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 72mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 197 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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