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APL502B2G

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MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

APL502B2G Technisches Datenblatt

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APL502B2G Preise und Bestellung

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30 $42.54633 $1276.3899
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 29A, 12V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 730W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

STE40NC60
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FDPF2710T
FDPF2710T
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2N7000
2N7000
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FDD2582
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ISL9N310AD3
MTSF3N02HDR2
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