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IXFT120N25X3HV

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV

nicht konform

IXFT120N25X3HV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.25000 $11.25
30 $9.22500 $276.75
120 $8.32500 $999
510 $6.97500 $3557.25
1,020 $6.30000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7870 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

STP42N60M2-EP
STB100N6F7
STB100N6F7
$0 $/Stück
G3R160MT12D
NVTFS5C478NLTAG
NVTFS5C478NLTAG
$0 $/Stück
BSS126IXTSA1
APT5010B2FLLG

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