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IXFT14N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 14A TO268

IXFT14N80P Technisches Datenblatt

compliant

IXFT14N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.33000 $159.9
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 720mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

STD85N10F7AG
FCD620N60ZF
FCD620N60ZF
$0 $/Stück
IRFR9210TRPBF
IRF7831TRPBF
PMV15ENER
PMV15ENER
$0 $/Stück
SIRA00DP-T1-GE3
IXFK230N20T
IXFK230N20T
$0 $/Stück
IRFZ48NPBF

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