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IXFT69N30P

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 69A TO268

IXFT69N30P Technisches Datenblatt

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IXFT69N30P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $8.05667 $241.7001
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 69A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 49mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4960 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

STW34N65M5
STW34N65M5
$0 $/Stück
DMT10H015LCG-7
FDMC86139P
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$0 $/Stück
FDS86141
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$0 $/Stück
R6020JNZ4C13
FQB20N06TM
PSMN010-25YLC,115
IXFN44N80P
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STD3NK60Z-1

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