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IXFT70N20Q3

IXFT70N20Q3

IXFT70N20Q3

IXYS

MOSFET N-CH 200V 70A TO268

IXFT70N20Q3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFT70N20Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.68000 $11.68
30 $9.57367 $287.2101
120 $8.63950 $1036.74
510 $7.23851 $3691.6401
1,020 $6.53800 -
25 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 690W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

SIHB053N60E-GE3
FQD5N30TF
DMN5L06WK-7
STD17NF25
STD17NF25
$0 $/Stück
FQT13N06TF
FQT13N06TF
$0 $/Stück
STH300NH02L-6
SI2310-TP
SI2310-TP
$0 $/Stück
FQP24N08
FQP24N08
$0 $/Stück
SFT1423-E
SFT1423-E
$0 $/Stück

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