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IXFT88N30P

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 88A TO268

IXFT88N30P Technisches Datenblatt

compliant

IXFT88N30P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.32767 $279.8301
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 88A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

FDB12N50TM
FDB12N50TM
$0 $/Stück
RM130N30D3
RM130N30D3
$0 $/Stück
SQJ164ELP-T1_GE3
NVMFS5C604NLWFAFT1G
NVMFS5C604NLWFAFT1G
$0 $/Stück
SCH1332-TL-W
SCH1332-TL-W
$0 $/Stück

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