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IXFX120N30T

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3

IXFX120N30T Technisches Datenblatt

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IXFX120N30T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.38900 $281.67
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 265 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 20000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 960W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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