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IXFX32N100P

IXFX32N100P

IXFX32N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

IXFX32N100P Technisches Datenblatt

compliant

IXFX32N100P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $17.12000 $17.12
30 $14.39300 $431.79
120 $13.22600 $1587.12
510 $11.28100 $5753.31
1240 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 320mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 960W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

IPI50R250CP
STW62NM60N
STW62NM60N
$0 $/Stück
SIR836DP-T1-GE3
IXFA30N25X3
IXFA30N25X3
$0 $/Stück
IRLIZ34NPBF
BUK969R0-60E,118
RD3L080SNFRATL

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