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STW62NM60N

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MOSFET N-CH 600V 65A TO247

STW62NM60N Technisches Datenblatt

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STW62NM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $16.35000 $16.35
30 $12.75133 $382.5399
43 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 49mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 174 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5800 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 450W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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