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IXFX38N80Q2

IXFX38N80Q2

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3

IXFX38N80Q2 Technisches Datenblatt

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IXFX38N80Q2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $23.88500 $716.55
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 220mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8340 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 735W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

STP120NF04
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IRFR9020
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NDB7060
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IRLL014PBF
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IRF530STRL
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IRFR3303PBF
BS170FTC
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