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IRF530STRL

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

IRF530STRL Technisches Datenblatt

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IRF530STRL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
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500 $0 $0
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2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 160mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 670 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFR3303PBF
BS170FTC
BS170FTC
$0 $/Stück
IRFB42N20D
FKI06269
FKI06269
$0 $/Stück
SI7402DN-T1-E3

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