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SI7402DN-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

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SI7402DN-T1-E3 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 5.7mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 850mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IXFR75N10Q
IXFR75N10Q
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IRF7822TRL
IRF7822TRL
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IPD06N03LA G
IXTV26N50P
IXTV26N50P
$0 $/Stück
IRF3707SPBF
IPD12CN10N

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