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IXFX80N60P3

IXFX80N60P3

IXFX80N60P3

IXYS

MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3

IXFX80N60P3 Technisches Datenblatt

compliant

IXFX80N60P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.39700 $311.91
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

3LP01C-TB-E
3LP01C-TB-E
$0 $/Stück
NTD5C668NLT4G
NTD5C668NLT4G
$0 $/Stück
APT56M60B2
RSR010N10HZGTL
NTQD4154ZR2G
NTQD4154ZR2G
$0 $/Stück
IRFR010PBF-BE3
IXTY08N50D2-TRL
IXTY08N50D2-TRL
$0 $/Stück
NTD70N03RG
NTD70N03RG
$0 $/Stück

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