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APT56M60B2

APT56M60B2

APT56M60B2

MOSFET N-CH 600V 60A TO247

APT56M60B2 Technisches Datenblatt

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APT56M60B2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
33 $14.41667 $475.75011
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 280 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

RSR010N10HZGTL
NTQD4154ZR2G
NTQD4154ZR2G
$0 $/Stück
IRFR010PBF-BE3
IXTY08N50D2-TRL
IXTY08N50D2-TRL
$0 $/Stück
NTD70N03RG
NTD70N03RG
$0 $/Stück
SI3483DDV-T1-GE3

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