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IPB065N15N3GATMA1

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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

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IPB065N15N3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.71889 -
2,000 $3.58115 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 8V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7300 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

SI3483DDV-T1-GE3
DMN2053U-7
SIA108DJ-T1-GE3
IXFH18N65X2
IXFH18N65X2
$0 $/Stück
ECH8410-TL-H
ECH8410-TL-H
$0 $/Stück
PSMN015-60BS,118
IXTN17N120L
IXTN17N120L
$0 $/Stück
SISA16DN-T1-GE3
IRF7495TRPBF

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