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IXFH18N65X2

IXFH18N65X2

IXFH18N65X2

IXYS

MOSFET N-CH 650V 18A TO247

IXFH18N65X2 Technisches Datenblatt

compliant

IXFH18N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.98370 $4.9837
500 $4.933863 $2466.9315
1000 $4.884026 $4884.026
1500 $4.834189 $7251.2835
2000 $4.784352 $9568.704
2500 $4.734515 $11836.2875
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1520 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 290W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

ECH8410-TL-H
ECH8410-TL-H
$0 $/Stück
PSMN015-60BS,118
IXTN17N120L
IXTN17N120L
$0 $/Stück
SISA16DN-T1-GE3
IRF7495TRPBF
STH12N120K5-2
IXTQ450P2
IXTQ450P2
$0 $/Stück

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