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IXTN17N120L

IXTN17N120L

IXTN17N120L

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

IXTN17N120L Technisches Datenblatt

compliant

IXTN17N120L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $54.61000 $54.61
500 $54.0639 $27031.95
1000 $53.5178 $53517.8
1500 $52.9717 $79457.55
2000 $52.4256 $104851.2
2500 $51.8795 $129698.75
16 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 540W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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