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TPW1R306PL,L1Q

TPW1R306PL,L1Q

TPW1R306PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP

compliant

TPW1R306PL,L1Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $1.40000 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 260A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.29mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 91 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8100 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DSOP Advance
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

RCX120N20
RCX120N20
$0 $/Stück
MMBF2201NT1G
MMBF2201NT1G
$0 $/Stück
TP65H070LDG
TP65H070LDG
$0 $/Stück
DMP2165UW-7
NTPF095N65S3H
NTPF095N65S3H
$0 $/Stück
R6524ENZ4C13
AUIRFR5305TR

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