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SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

compliant

SISA16DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.23646 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 6.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2060 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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