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IXTA102N15T

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IXYS

MOSFET N-CH 150V 102A TO263

IXTA102N15T Technisches Datenblatt

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IXTA102N15T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $3.51000 $175.5
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 102A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5220 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 455W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

DMN2310U-13
ZVN2110GTA
RM80N30DF
RM80N30DF
$0 $/Stück
APT43M60L
STD1057T4
STD1057T4
$0 $/Stück
NVTYS005N04CTWG
NVTYS005N04CTWG
$0 $/Stück
APT10078BFLLG
SQS840CENW-T1_GE3

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