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IXTA130N10T

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 130A TO263

IXTA130N10T Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTA130N10T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.98000 $2.98
50 $2.40000 $120
100 $2.16000 $216
500 $1.68000 $840
1,000 $1.39200 -
2,500 $1.34400 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5080 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STH315N10F7-6
IXFP18N65X2M
IXFP18N65X2M
$0 $/Stück
DMN4030LK3-13
APT5018SLLG
SISA34DN-T1-GE3
NTTFS4929NTWG
NTTFS4929NTWG
$0 $/Stück
SIHB15N60E-GE3

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