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SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK

compliant

SIHB15N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.45000 $3.45
10 $3.08000 $30.8
100 $2.52560 $252.56
500 $2.04512 $1022.56
1,000 $1.72480 -
2,500 $1.63856 -
5,000 $1.57696 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 280mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXTH12N65X2
IXTH12N65X2
$0 $/Stück
SIHP21N65EF-GE3
NVMJS1D7N04CTWG
NVMJS1D7N04CTWG
$0 $/Stück
SQP120P06-6M7L_GE3
FDMA8878
FDMA8878
$0 $/Stück
STP14NF10
STP14NF10
$0 $/Stück
BG5120KE6327
RSS070N05HZGTB
NTD80N02-1G
NTD80N02-1G
$0 $/Stück

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