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IXTA32N20T

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 32A TO263

IXTA32N20T Technisches Datenblatt

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IXTA32N20T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $1.97500 $98.75
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 72mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1760 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SPB10N10 G
FDS3680
FDS3680
$0 $/Stück
IRF7494PBF
IRF7450PBF
2SK4177-E
2SK4177-E
$0 $/Stück
NVMFS5C423NLWFT1G
NVMFS5C423NLWFT1G
$0 $/Stück

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