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IXTA3N50D2-TRL

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

nicht konform

IXTA3N50D2-TRL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.64259 $2.64259
500 $2.6161641 $1308.08205
1000 $2.5897382 $2589.7382
1500 $2.5633123 $3844.96845
2000 $2.5368864 $5073.7728
2500 $2.5104605 $6276.15125
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1070 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI2302DDS-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3
FCP9N60N
NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
$0 $/Stück
NVTR0202PLT1G
NVTR0202PLT1G
$0 $/Stück
SI2302CDS-T1-GE3
NTMFS4927NT1G
NTMFS4927NT1G
$0 $/Stück

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