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SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

compliant

SIR818DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.63140 -
6,000 $0.60176 -
15,000 $0.58058 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3660 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FCP9N60N
NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
$0 $/Stück
NVTR0202PLT1G
NVTR0202PLT1G
$0 $/Stück
SI2302CDS-T1-GE3
NTMFS4927NT1G
NTMFS4927NT1G
$0 $/Stück
PXP013-30QLJ
DMN62D0LFD-7
PMF63UN,115
PMF63UN,115
$0 $/Stück
FCMT199N60
FCMT199N60
$0 $/Stück

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