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IXTH02N250

IXTH02N250

IXTH02N250

IXYS

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247

IXTH02N250 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH02N250 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.32000 $12.32
30 $10.36000 $310.8
120 $9.52000 $1142.4
510 $8.12000 $4141.2
1,020 $7.84000 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 2500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450Ohm @ 50mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 116 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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