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IXTH12N100L

IXTH12N100L

IXTH12N100L

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

IXTH12N100L Technisches Datenblatt

compliant

IXTH12N100L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $13.81967 $414.5901
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 1.3Ohm @ 500mA, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 20 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SQM50028EM_GE3
IXTH7P50
IXTH7P50
$0 $/Stück
PMPB20ENZ
PMPB20ENZ
$0 $/Stück
SSP1N60A
BTS112A
BTS112A
$0 $/Stück
DMP4065SQ-13
HUF75337P3
HUF75337P3
$0 $/Stück
MTP8N50E
MTP8N50E
$0 $/Stück
SQJ415EP-T1_GE3

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