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SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8

compliant

SQJ415EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.40477 -
6,000 $0.37850 -
15,000 $0.36536 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SUP90100E-GE3
NTP6412ANG
NTP6412ANG
$0 $/Stück
EPC2023
EPC2023
$0 $/Stück
FDB3632
FDB3632
$0 $/Stück
SISA88DN-T1-GE3
IRLR8743TRPBF
IRF630PBF-BE3

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