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SISA88DN-T1-GE3

SISA88DN-T1-GE3

SISA88DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK

compliant

SISA88DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20758 -
6,000 $0.19493 -
15,000 $0.18228 -
30,000 $0.17342 -
17838 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.2A (Ta), 40.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25.5 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 985 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRLR8743TRPBF
IRF630PBF-BE3
STF13N80K5
STF13N80K5
$0 $/Stück
FDD6N25TM
FDD6N25TM
$0 $/Stück
C2M1000170J-TR
IRFW644BTM

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