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IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

IXYS

MOSFET N-CH 200V 16A TO247

IXTH16N20D2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTH16N20D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.36000 $12.36
10 $11.23500 $112.35
30 $10.39233 $311.7699
120 $9.54975 $1145.97
270 $8.70711 $2350.9197
510 $8.14537 $4154.1387
1,020 $7.49000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 73mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 208 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5500 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 695W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF
$0 $/Stück
NTE2933
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$0 $/Stück
NTMTS0D7N04CLTXG
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$0 $/Stück
R6006PND3FRATL
NTR1P02LT1G
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SIHH14N65E-T1-GE3
NTMS4N01R2G
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