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IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

IXYS

MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV

compliant

IXTH1N200P3HV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.33000 $6.33
30 $5.18667 $155.6001
120 $4.68050 $561.66
510 $3.92151 $1999.9701
1,020 $3.54200 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 2000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 646 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247HV
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

HUFA76633P3
IXTQ64N25P
IXTQ64N25P
$0 $/Stück
IXFK24N80P
IXFK24N80P
$0 $/Stück
STP80NF06
STP80NF06
$0 $/Stück
APT5018SLLG/TR
BUK961R7-40E,118
BUK961R7-40E,118
$0 $/Stück
HUF76413D3
EPC2020
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$0 $/Stück
RM002N30DF
RM002N30DF
$0 $/Stück

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