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RM002N30DF

RM002N30DF

RM002N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN

RM002N30DF Technisches Datenblatt

compliant

RM002N30DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.32000 $0.32
500 $0.3168 $158.4
1000 $0.3136 $313.6
1500 $0.3104 $465.6
2000 $0.3072 $614.4
2500 $0.304 $760
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 85A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4345 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 187W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXTH150N15X4
IXTH150N15X4
$0 $/Stück
PSMN070-200P,127
PSMN5R6-60YLX
IRFBC40PBF
IRFBC40PBF
$0 $/Stück
FDD6776A
IXTP4N65X2
IXTP4N65X2
$0 $/Stück
IPD65R380E6
STH150N10F7-2

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