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STH150N10F7-2

STH150N10F7-2

STH150N10F7-2

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2

compliant

STH150N10F7-2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.17980 -
2,000 $2.08278 -
5,000 $2.01348 -
3 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8115 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket H2Pak-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRL40B215
FDPF5N50NZ
FDPF5N50NZ
$0 $/Stück
NTMJS0D9N04CTWG
NTMJS0D9N04CTWG
$0 $/Stück
MPF4856RLRA
MPF4856RLRA
$0 $/Stück
STI6N95K5
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$0 $/Stück
FCP4N60
FCP4N60
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