Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTH2N150

IXTH2N150

IXTH2N150

IXYS

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO

IXTH2N150 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH2N150 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.80867 $10.80867
500 $10.7005833 $5350.29165
1000 $10.5924966 $10592.4966
1500 $10.4844099 $15726.61485
2000 $10.3763232 $20752.6464
2500 $10.2682365 $25670.59125
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 830 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 170W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

DMT6005LPS-13
NVHL065N65S3F
NVHL065N65S3F
$0 $/Stück
NTMTS002N08MC
NTMTS002N08MC
$0 $/Stück
IXFT24N90P-TRL
IXFT24N90P-TRL
$0 $/Stück
FDZ663P
STL28N60DM2
HUF76121S3
HUF76121S3
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.