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IXTH30N25L2

IXTH30N25L2

IXTH30N25L2

IXYS

MOSFET N-CH 250V 30A TO247

IXTH30N25L2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH30N25L2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $19.25567 $19.25567
500 $19.0631133 $9531.55665
1000 $18.8705566 $18870.5566
1500 $18.6779999 $28016.99985
2000 $18.4854432 $36970.8864
2500 $18.2928865 $45732.21625
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 355W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN2015UFDF-13
MCG16P03-TP
NVMFS6H864NWFT1G
NVMFS6H864NWFT1G
$0 $/Stück
DMP610DL-7
DMT10H009LH3
NVTFS020N06CTAG
NVTFS020N06CTAG
$0 $/Stück
DMN14M8UFDF-13
IXTX660N04T4
IXTX660N04T4
$0 $/Stück

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