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IXTH30N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

IXTH30N60P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTH30N60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.28000 $7.28
30 $5.96567 $178.9701
120 $5.38350 $646.02
510 $4.51051 $2300.3601
1,020 $4.07400 -
247 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5050 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 540W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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