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SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

compliant

SIHB100N60E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.79000 $5.79
10 $5.19300 $51.93
100 $4.29080 $429.08
500 $3.50918 $1754.59
1,000 $2.98808 -
3,000 $2.84779 -
690 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1851 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SUM65N20-30-E3
STW30NM50N
STW30NM50N
$0 $/Stück
PSMN4R0-30YL,115
SI3430DV-T1-BE3
APT8024B2LLG
SIA414DJ-T1-GE3
IRFB4019PBF
STF35N65M5
STF35N65M5
$0 $/Stück

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