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IRFB4019PBF

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MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB

IRFB4019PBF Technisches Datenblatt

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IRFB4019PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.71000 $1.71
10 $1.52200 $15.22
100 $1.22040 $122.04
500 $0.96446 $482.23
1,000 $0.77832 -
2869 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 95mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.9V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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