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RM150N150HD

RM150N150HD

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Rectron USA

MOSFET N-CH 150V 150A TO263-2

RM150N150HD Technisches Datenblatt

nicht konform

RM150N150HD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.75000 $1.75
500 $1.7325 $866.25
1000 $1.715 $1715
1500 $1.6975 $2546.25
2000 $1.68 $3360
2500 $1.6625 $4156.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.2mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5500 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 320W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDB2670
SIHB22N60EL-GE3
IRFP3703PBF
FQPF3P20
FCPF650N80Z
FCPF650N80Z
$0 $/Stück
PMK50XP,518
DMP3099L-13
IRF8788TRPBF

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