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SIHB22N60EL-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 21A TO263

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SIHB22N60EL-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $2.34080 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 197mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1690 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 227W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFP3703PBF
FQPF3P20
FCPF650N80Z
FCPF650N80Z
$0 $/Stück
PMK50XP,518
DMP3099L-13
IRF8788TRPBF
IXTA26P20P
IXTA26P20P
$0 $/Stück
APT22F100J

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