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PJP7NA60_T0_00001

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PJP7NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP7NA60_T0_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.49000 $1.49
500 $1.4751 $737.55
1000 $1.4602 $1460.2
1500 $1.4453 $2167.95
2000 $1.4304 $2860.8
2500 $1.4155 $3538.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 723 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 145W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RM150N150HD
RM150N150HD
$0 $/Stück
FDB2670
SIHB22N60EL-GE3
IRFP3703PBF
FQPF3P20
FCPF650N80Z
FCPF650N80Z
$0 $/Stück
PMK50XP,518
DMP3099L-13

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