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IXTH36P15P

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IXYS

MOSFET P-CH 150V 36A TO247

IXTH36P15P Technisches Datenblatt

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IXTH36P15P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.74000 $172.2
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRF530A
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NVD4804NT4G
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BUK724R5-30C118
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IRF710PBF
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5HN01M-TL-E-SA
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TN5325N3-G
IXFH150N17T2
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