Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IXTH6N150

IXTH6N150

IXTH6N150

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 6A TO247

IXTH6N150 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH6N150 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $7.44167 $223.2501
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2230 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 540W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

MCU60N04A-TP
MCAC80N06Y-TP
IXFA130N10T
IXFA130N10T
$0 $/Stück
NVMFS5C456NLAFT1G
NVMFS5C456NLAFT1G
$0 $/Stück
NDT014
NDT014
$0 $/Stück
STFI10NK60Z
SI7386DP-T1-GE3
IRFS614B
SI1330EDL-T1-BE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.