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IXTH90P10P

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IXYS

MOSFET P-CH 100V 90A TO247

IXTH90P10P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTH90P10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $8.88000 $8.88
30 $7.27767 $218.3301
120 $6.56750 $788.1
510 $5.50251 $2806.2801
1,020 $4.97000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 462W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMG3418L-7
DMN2011UFDE-7
BUK7Y6R0-60EX
MCAC95N06Y-TP
PH5830DLX
PH5830DLX
$0 $/Stück
NTBLS002N08MC
NTBLS002N08MC
$0 $/Stück
RFL1N15
RFL1N15
$0 $/Stück
APT9M100S/TR
STU7N65M6
STU7N65M6
$0 $/Stück
NDP4050

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